新品發(fā)布
芯能半導體新推出一款采用DFN5*6-8L封裝的4.7mΩ的60V MOS產(chǎn)品：XNDR5N06M。該產(chǎn)品具有高功率密度設計、低導通電阻、低柵極電荷和柵極電阻的特點，適合應用在電機控制器、不間斷電源等領域。
01
產(chǎn)品特性
芯能的XNDR5N06M 經(jīng)過100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性；沖擊能力強，適用于電機驅動應用；同時DFN5*6封裝可以節(jié)省PCB空間，可直接通過PCB散熱，4.7mΩ低導通電阻，為較低溫升提供保證。具備較低的開關損耗，確保高速電機應用中提高能效和功率密度，改善電磁干擾（EMI）并更容易進行PCB設計。
02
吸塵器方案
采用集成預驅Cortex-M4核的UCM32M4371A MCU控制,其具備120MHz處理能力，配合芯能功率MOS XNDR5N06M提供優(yōu)化成熟的高速吸塵方案。
方案優(yōu)勢特點
1
輸入電壓：8-36V
2
驅動方式:單電阻無感FOC旋波
3
轉速：150000 RPM
4
支持恒功率、恒速度控制
5
支持過溫、過壓、欠壓、過流、堵轉、短路等故障保護
方案可提供
1
演示板進行功能測試驗證（方便快速的性能驗證）
2
功率、驅動和控制一整套芯片，產(chǎn)品方框圖、電路圖、PCBA等技術資料（成套解決方案資料，縮短客戶量產(chǎn)周期）
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※ ：產(chǎn)品具體信息可向我司銷售人員咨詢或索取產(chǎn)品規(guī)格書（service@invsemi.com）。
